 |
 |
在庫は時期によりまして
変動することがございます |
書籍情報
化合物半導体のエピタキシャル成長技術は歴史的にいろいろな種類のものが開発されてきたが，要求される性能は時代にかかわらず高い結晶品質，高い膜厚制御性，低い製造コスト，そして量産性である．本書は様々なエピタキシャル成長技術に直接触れ，長年研究してきた著者がその知見をまとめたものである． |
|
|
|
化合物半導体のエピタキシャル成長
多様な成長技術とその応用
|
| A5／232頁 定価（本体4400円＋税） 978-4-7536-5051-4
|
| 堀越佳治（工学博士）／河原塚篤（博士（工学）） 著 |
  |
 目 次 |
第1章 半導体の種類と特徴
1.1 はじめに
1.2 IV族半導体
1.3 III-V族化合物半導体
1.4 その他の化合物半導体
(1) II-VI族化合物半導体
(2) カルコパイライト型化合物半導体
(3) IV-VI族化合物半導体
第2章 化合物半導体エピタキシャル成長の概要
2.1 はじめに
2.2 液相エピタキシャル成長法(LPE)
2.3 気相エピタキシャル成長法(Cl-VPE，H-VPE)
2.4 有機金属気相エピタキシャル成長法(MOVPE)
2.5 分子線エピタキシャル成長法(MBE)
第3章 液相エピタキシャル成長法(LPE)とその応用
3.1 はじめに
3.2 AlGaAs/GaAsのLPE成長
3.3 InGaAsP/InPのLPE成長
3.4 InGaAsSb/AlGaAsSbのLPE成長
3.5 InAsPSb/InAsのLPE成長
3.6 IV-VI族化合物半導体のLPE成長
第4章 有機金属気相エピタキシャル成長法(MOVPE)とその応用
4.1 はじめに
4.2 MOVPEにおける有機金属材料
4.3 三元混晶InAsSbおよびInPSbのMOVPE成長
4.4 InAs1-x-yPxSbyのMOVPE成長
第5章 分子線エピタキシャル成長法(MBE)とその応用
5.1 はじめに
5.2 MBE成長に用いられる装置
5.3 MBE成長における成長プロセス評価技術
5.4 MBE成長結晶の高電子移動度材料への応用
(1) GaAs における電子移動度とその決定要因
(2) AlGaAs/GaAs 単一ヘテロ接合による変調ドーピング構造
(3) 量子井戸を用いた変調ドーピング構造
第6章 MOVPEにおける流量変調エピタキシー(FME)
6.1 はじめに
6.2 流量変調エピタキシー(FME)
6.3 流量変調エピタキシー(FME)と原子層エピタキシー(ALE)
第7章 MBEにおけるマイグレーション・エンハンスト・エピタキシー(MEE)
7.1 はじめに
7.2 MEE成長の原理
7.3 MEEによるGaAsの成長
7.4 MEEの異なる原子価材料間のヘテロ接合，超格子成長への応用
第8章 選択エピタキシャル成長法(SAE)
8.1 はじめに
8.2 FMEを用いたSAE
8.3 MEEを用いたSAE
第9章 エピタキシャル成長結晶の半導体レーザ(LD)への応用
9.1 はじめに
9.2 化合物半導体におけるレーザ発振の波長範囲
9.3 いろいろな波長のLDの発振特性
9.4 AlGaAs/GaAs LDの加速寿命試験
9.5 AlGaAs/GaAs LDとInP/InGaAsP LDの加速寿命試験の比較
|
|
|
書籍サポート情報 
