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書籍情報
本書は著者の23年におよぶ大学での講義を基に，電気・電子系，材料・化学系のどちらの読者にも共通して理解できるようにした．また式の導入，導出は最小限にとどめ，簡潔な説明を心掛けている． |
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| セラミックス基礎講座6 |
結晶と電子
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| A5／280頁 定価（本体3200円＋税） 978-4-7536-5311-9
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| 河村 力（理学博士） 著 |
 目 次 |
I 電子物性の基礎
CHAP.1 結晶学的基礎
結晶格子／ミラー指数／逆格子／点群／空間群／結晶の異方性とテンソル
CHAP.2 電子の基本的物性
原子内の電子配置と化学結合／バンド構造と結晶構造／フェルミ・レベル／逆格子空間と結晶運動量空間／ブリルアン領域とブラッグの回折条件／エネルギー・ギャップと結晶構造因子／エネルギー・ギャップとブロッホ関数
CHAP.3 半導体デバイスの基礎
半導体の定義／基本的材料定数／キャリアの移動度／有効質量／エネルギー面／ダイオード／トランジスタ／論理回路／記憶回路
II 半導体結晶と半導体デバイス
CHAP.4 半導体多結晶の精製と半導体単結晶の育成
単結晶化の命題／化学的精製法／物理的精製法／ZM法／FZ法／CZ法／GeからSiへの移行／HB法／LEC法／GaAsウエーハ
CHAP.5 半導体薄膜の形成
合金接合法／拡散法／拡散転位の発生と歪み補償／微細加工技術／イオン注入法／エピタキシャル成長法／SiのVPEの基本原理／SiのVPEの現状／SiのMBE／GaAsのLPE／GaAsのVPE／GaAsのMBE／ALE
CHAP.6 化合物半導体デバイス
GaAs IC概観／高速デバイスの基礎と実際／光デバイスの基礎／レーザ・ダイオードの基本特性／レーザ・ダイオードの実際
CHAP.7 半導体における結晶の評価と機能
半導体デバイスと結晶欠陥制御／結晶の加工と欠陥・不純物の評価／電気的評価法／半導体デバイスにおける結晶の機能
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