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書籍情報
プラズマの特徴を活かして薄膜生成や材料加工の極限技術に挑戦しようとする状況にあって，プラズマプロセスの中で最も重要なプラズマCVDとエッチング技術について，基礎から応用までを丁寧に解説．具体的な装置構成，操作方法や薄膜の物性評価方法も記し，実用的な入門書となっている． |
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プラズマ半導体プロセス工学
成膜とエッチング入門
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| A5／304頁 定価（本体4800円＋税） 978-4-7536-5048-4
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| 市川幸美（工学博士）／佐々木敏明（工学博士）／堤井信力（工学博士） 著 |
 目 次 |
第1章 プラズマと半導体プロセス
1. 半導体デバイス作製へのプラズマの応用／2. プラズマを用いた成膜とエッチングの基礎
第2章 半導体プロセス用プラズマの基礎
1. 直流放電／2. 高周波放電
第3章 半導体プロセス装置の概要
1. 真空系統／2. 反応室／3. 基板温度の制御／4. ガス系統とガスの安全対策
第4章 プラズマCVD技術
1. 原理／2. 実験例―シリコン系薄膜の堆積―
第5章 薄膜の評価方法
1. 評価項目と測定方法／2. 膜厚／3. 屈折率／4. 吸収係数／5. バンドギャップ／6. 導電率／7. FTIR／8. ラマン散乱／9. X線回折／10. 欠陥密度
第6章 プラズマエッチング技術
1. 化学的なエッチングと物理的なエッチング／2. エッチングに要求される特性／3. エッチング装置とエッチングガス／4. エッチング機構／5. エッチングの制御パラメータ／6. プラズマによるダメージ／7. エッチング終点検出
第7章 付章―プロセシングプラズマを理解するための基礎理論―
1. 気体の状態方程式と分子数密度／2. 処理表面への中性粒子の入射粒束／3. ポテンシャル曲線とFranck -Condonの原理／4. Boltzmann輸送方程式／5. 衝突断面積と平均自由行程，衝突周波数，反応速度定数／6. 両極性拡散／7. デバイ長とプラズマ周波数／8. プラズマ電位と浮動電位
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